Samsung znów znalazł się w centrum uwagi świata technologicznego. Firma opublikowała szczegóły nowej technologii pamięci flash, nad którą pracują naukowcy z Samsung Advanced Institute of Technology. Co prawda na razie mowa o projekcie laboratoryjnym, a nie produkcie gotowym do sprzedaży, ale skala deklarowanych zmian już dziś rozpala wyobraźnię producentów sprzętu, operatorów chmury i firm rozwijających sztuczną inteligencję.
Nowa pamięć Samsunga. O co cały szum?
Przez lata rozwój pamięci NAND polegał głównie na dobudowywaniu kolejnych warstw komórek i upychaniu coraz większej pojemności na tym samym kawałku krzemu. W efekcie współczesne układy oferują imponujące gęstości zapisu, ale rosną też koszty energetyczne. Żeby odczytać lub zapisać jedną komórkę trzeba podbić napięcie na całym łańcuchu, więc im wyższe i gęstsze struktury, tym większy pobór prądu.
Samsung twierdzi, że znalazł sposób, aby ten problem wyeliminować niemal do zera. W najnowszej publikacji podpisanej przez 34 badaczy firma opisuje pamięć wykorzystującą ferroelektryczne tranzystory (FeFET) połączone z półprzewodnikami tlenkowymi. Klucz leży w sposobie przechowywania informacji, ponieważ materiał potrafi utrzymywać polaryzację elektryczną, dzięki czemu nie trzeba „wybudzać” całego łańcucha komórek, aby odczytać jedną z nich. Zgodnie z wynikami badań zużycie energii może spaść nawet o 96% względem klasycznych układów NAND.
Co więcej, zachowana ma zostać wysoka pojemność i to nawet pięć bitów zapisu w jednej komórce. W praktyce mogłoby to pozwolić na stworzenie pamięci masowej, która nie tylko zużywa ułamek dotychczasowej energii, ale również oferuje większą pojemność bez zwiększania fizycznych rozmiarów układów.
Problem? Półprzewodniki tlenkowe, choć obiecujące, to do tej pory odrzucano ze względu na wysokie napięcie progowe. Naukowcy Samsunga przekuli tę wadę w zaletę i wysoki próg znacząco ogranicza prądy upływu, które są jednym z głównych „cichych konsumentów” energii w strukturach pamięci.
Gdzie taka pamięć mogłaby mieć największy sens?
Pierwszym oczywistym miejscem są centra danych oraz infrastruktura AI. Modele generatywne działają non stop, a operatorzy chmurowi już dziś alarmują, że branża zbliża się do energetycznej ściany. Jeśli pamięć masowa zaczęłaby pobierać nawet kilkadziesiąt razy mniej prądu, to koszty operacyjne i zapotrzebowanie na energię mogłyby realnie spaść, a to z kolei otwiera drogę do bardziej zrównoważonego rozwoju usług chmurowych.
Kolejną grupą urządzeń są smartfony, laptopy i tablety. Producenci od lat walczą z ograniczeniami wynikającymi z rozmiaru akumulatorów. Pamięć, która mniej się grzeje i nie drenuje baterii mogłaby wreszcie pozwolić na montowanie większych pojemności pamięci użytkowej bez skracania czasu pracy urządzenia. Z punktu widzenia użytkownika oznaczałoby to więcej miejsca na zdjęcia, aplikacje i gry, a jednocześnie dłuższy czas działania.
Ale są też schody. Sama koncepcja musi jeszcze przejść długą drogę – od potwierdzenia stabilności przy setkach warstw, przez testy zapisów i odczytów w różnych temperaturach, aż po dostosowanie fabryk do zupełnie nowej architektury. Historia półprzewodników zna wiele projektów, które nigdy nie wyszły poza laboratorium. Eksperci podkreślają, że o przełomie będzie można mówić dopiero wtedy, gdy Samsung pokaże realne plany komercjalizacji.
Firma zapowiada, że więcej szczegółów na temat nowej technologii zostanie ujawnionych podczas CES 2026. Możliwe więc, że dopiero za kilka miesięcy dowiemy się czy mówimy o prototypie, czy o początku nowej generacji pamięci flash.
Źródło: Samsung
Chcesz być na bieżąco? Śledź ROOTBLOG w Google News!